Корпорация IBM объявила о создании образца первой Статической оперативной памяти с произвольным доступом (SRAM — Static Random Access Memory) для 20 нанометровой технологии (Нанометр – миллиардная часть метра, что в 80 тыс. раз меньше толщины человеческого волоса). В разработке участвовали партнеры IBM- фирмы AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba и колледж Нанонауки и Инжиниринга (College of Nanoscale Science and Engineering — CNSE) Университета Олбани.
Разработка была осуществлена в лабораториях колледжа Нанонауки и Инжиниринга (College of Nanoscale Science and Engineering — CNSE) Университета Олбани, штат Нью Йорк. Этот колледж известен, как мировой лидер исследований в области наноэлектроники среди университетов. IBM и их партнеры проводят большинство исследований в лабораториях CNSE.
Чипы SRAM являются предтечами гораздо более сложных устройств- таких, как микропроцессоры. Разработанная ячейка SRAM базируется на традиционной шести транзисторной конфигурации и имеет площадь 0,1 кв. мкм, значительно улучшая размеры существующих аналогов.
«Мы работаем на абсолютно возможном минимуме размерной шкалы и прогрессируем в сторону следующего поколения полупроводниковых технологий. Новая разработка безусловно является критическим достижением в процессе миниатюризации микроэлектроники»- отмечает Д-р Чен (Dr. T.C. Chen), вице-президент научно-исследовательского подразделения IBM (vice president of Science and Technology, IBM Research)- « 22 нм, по нашим представлениям, это еще через одно будущее поколение чипов. Следующее поколение это 32 нм».
Таким образом, разработчики чипов в IBM ушли намного вперед по сравнению с существующей шкалой размерных поколений интегральных схем. IBM и их партнеры ушли далеко вперед от конкурентов, благодаря используемой технологии. Традиционно технологи IBM уплотняют чип SRAM, сжимая его основной блок, известный как Сell (процессор Сell, имеющий архитектуру, разработанную cовместно IBM, Sony и Toshiba). Научно-исследователький альянс под эгидой IBM на сей раз пошел дальше и оптимизировал дизайн и конфигурацию процессора для улучшения стабильности и разработал несколько новых технологий изготовления с целью изготовления нового процессора SRAM. Разработчики использовали процесс иммерсионной литографии с большой численной апертурой для печати схем со столь агрессивными размерами и плотностью.
Размеры процессора SRAM обычно являются ключевым показателем технологии в поупроводниковой промышленности. Данная работа продемонстрировала продолжающуюся лидирующую роль IBM и их партнеров в передовых современных технологиях. Ключевые параметры нового процессора SRAM включают в себя размеры и точность выполнения high-K вентилей, транзисторов с длиной менее 25 нм, тонких спейсеров, новых ко-имплантов, новые методы активации, исключительно тонкие пластинки силицида и медные контакты с примесью благородных металлов.
Дополнительные детали разработки будут представлены докладом на ежегодном техническом собрании международной секции электронных систем IEEE (International Electron Devices — IEDM) 15—17 декабря с.г. в Сан Франциско (http://www.wikicfp.com/…vent.showcfp?…)
Дополнительную информацию можно получить на сайте IBM: http://www.ibm.com/us/
